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Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $117.10 |
10+ | $111.242 |
25+ | $102.6796 |
50+ | $97.5458 |
100+ | $88.2739 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 100ns |
Spannungsversorgung | 4.75 V ~ 5.25 V |
Technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Supplier Device-Gehäuse | 32-EDIP |
Serie | - |
Verpackung | Tube |
Verpackung / Gehäuse | 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Speichertyp | Non-Volatile |
Speichergröße | 4Mb (512K x 8) |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | NVSRAM |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 4Mb (512K x 8) Parallel 100ns 32-EDIP |
Basisteilenummer | DS1250AB |
Zugriffszeit | 100ns |
DS1250AB-100+ Einzelheiten PDF [English] | DS1250AB-100+ PDF - EN.pdf |
IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP
IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() DS1250AB-100+ |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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